材料创新：宽禁带半导体的突破

传统硅基MOS管面临效率瓶颈，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）等宽禁带材料逐步应用。SiC MOS管耐温性更强（结温达200℃），导通损耗比硅基低50%，适合新能源汽车充电桩；GaN HEMT开关速度比硅基快10倍，适配MHz级高频场景（如手机快充），可实现电源模块极致小型化。