技术演进：从平面工艺到超结结构

低中压MOS管技术经历三代升级：平面工艺（Planar）导通电阻大、开关速度慢，仅适用于低频场景；沟槽工艺（Trench）通过刻蚀沟槽嵌入栅极，导通电阻降低30%-50%，成为主流；超结工艺（SuperJunction）在沟槽基础上交替掺杂，进一步降低导通电阻与开关损耗，适配60V-100V中压场景，常用于工业电源与新能源车载系统。