为简化电路设计,低中压MOS管向集成化发展:集成续流二极管或自举二极管,减少外部元件;集成过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、过热保护(OTP)等功能,提升系统可靠性;半桥/全桥集成将2-4颗MOS管封装于一体,降低PCB空间与寄生参数,适配电机驱动与逆变器场景。
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时间:2025-09-15
为简化电路设计,低中压MOS管向集成化发展:集成续流二极管或自举二极管,减少外部元件;集成过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、过热保护(OTP)等功能,提升系统可靠性;半桥/全桥集成将2-4颗MOS管封装于一体,降低PCB空间与寄生参数,适配电机驱动与逆变器场景。